[实用新型]一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片有效
| 申请号： | 201921656468.0 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN210838448U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李林;董北平;李鸿建 | 申请（专利权）人： | 武汉云岭光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/223 | 分类号： | H01S5/223 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 代婵 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区华*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片，磷化铟半导体激光晶圆包括二氧化硅电介质膜层、N型衬底以及生长其上端面的外延结构，将覆盖在磷化铟半导体激光晶圆表面位于解理面区域的二氧化硅电介质膜层去除，通过解理面区域对磷化铟半导体激光晶圆解理得到磷化铟半导体激光芯片。其可以降低磷化铟激光芯片的整体应力，主要是降低解理方向上二氧化硅电介质膜层产生的应力，从而降低其对施加机械外力的影响，保证机械应力能够沿解理方向传递，从而达到理想解理效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 半导体 激光 芯片 | ||
【主权项】：
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