[实用新型]一种氢燃料电池芯片的上料机构有效

专利信息
申请号: 201921666996.4 申请日: 2019-10-01
公开(公告)号: CN211920112U 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 王磊;刘家洪 申请(专利权)人: 深圳市世椿智能装备股份有限公司
主分类号: B65G47/91 分类号: B65G47/91
代理公司: 深圳尚业知识产权代理事务所(普通合伙) 44503 代理人: 王利彬
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型属于氢燃料电池生产设备领域,提供了一种氢燃料电池芯片的上料机构。上料机构包括真空发生器以及吸真空多功板。真空发生器能在其下方产生负压,该负压能使不同方向的气体穿过其下方的一叠芯片材料,使该叠芯片相互分离,顶部位置的一块芯片在吸力的作用下被吸附至吸真空多功板的底面上,芯片在真空发生器的吸附作用力下变得平整,并且,由于被吸取的芯片之前已经与下面的叠料分离,所以不会产生吸多张材料的问题,避免了上料错误。本实用新型结构设计合理,使用方便,实现了芯片的自动化上料,提高了上料效率,并且能减少失误率及人工成本,便于MEA的自动化生产,降低了MEA的生产成本。
搜索关键词: 一种 燃料电池 芯片 机构
【主权项】:
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