[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201921692293.9 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN210272337U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 章中杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构。所述半导体结构包括：基底；第一导电结构，位于所述基底表面；布线层，沿垂直于所述基底的方向嵌入所述基底与所述第一导电结构之间，且所述布线层沿平行于所述基底的方向延伸出所述第一导电结构；第一插塞，沿垂直于所述基底的方向延伸，所述第一插塞的一端与所述布线层延伸出所述第一导电结构的端部电连接、另一端用于与外部电路连接。本实用新型解决了切割道尺寸缩小而导致的绕线不易布局的问题，避免了结构布局易违反设计原则的问题，确保了半导体结构后续测试结果的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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