[实用新型]一种碳化硅二极管元胞结构有效
| 申请号： | 201921698384.3 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN210325808U | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 郑柳 | 申请（专利权）人： | 重庆伟特森电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 重庆中流知识产权代理事务所(普通合伙) 50214 | 代理人： | 郭桂林 |
| 地址： | 400700 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种碳化硅二极管元胞结构，包括矩形元胞，矩形元胞包括P型注入区和n型区域，P型注入区包括中心P型注入区和外侧P型注入区，n型区域包括无注入n型区域，其中：P型注入区为圆形，其位于矩形元胞中的中心；无注入n型区域为圆环或圆角矩形，其与P型注入区同心，其内侧和外侧分别与P型注入区和外侧P型注入区相接；外侧P型注入区为矩形或圆角矩形，其位于矩形元胞中的外侧。本实用新型提升了碳化硅二极管的浪涌电流及雪崩电流耐量，同时简化了工艺步骤，提高了开关效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 二极管 结构 | ||
【主权项】：
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