[实用新型]低EMI常通型SiCJFET的驱动电路

摘要

本实用新型提供一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，包括驱动电流调节电路、驱动电压钳位模块、驱动功率管Q2、驱动电压关断功率管Q3、反相器INV1；驱动功率管Q2的漏极接常通型SiCJFET功率管Q1的源极，驱动功率管Q2的源极接SiCJFET功率管Q1的栅极并接地；驱动功率管Q2的栅极接驱动电压vDrv；驱动电流调节电路110接开关信号In，驱动电流调节电路110的电流输出端接驱动功率管Q2的栅极；驱动电压钳位模块140接驱动功率管Q2的栅极；反相器INV1的输入端接开关信号In，输出端接驱动电压关断功率管Q3的栅极，Q3的源极接地，漏极接驱动功率管Q2的栅极；本实用新型实现一种低损耗、低EMI的常通型SiC JFET驱动电路。