[实用新型]半导体器件及电子装置有效

专利信息
申请号: 201921735802.1 申请日: 2019-10-16
公开(公告)号: CN210296377U 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: 钱仕兵 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 阚梓瑄;袁礼君
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本公开提出一种半导体器件及电子装置,半导体器件包括衬底、两个字线、隔离层、孔槽、位线接触层以及位线导电层。衬底顶部形成有掺杂区,掺杂区的上表面开设有两个相间隔的凹槽,且凹槽贯穿掺杂区和部分衬底。两个字线分别设于两个凹槽的槽底。隔离层设于掺杂区的上表面并填充两个凹槽。孔槽贯穿于隔离层的位于两个凹槽之间的部分及掺杂区的位于两个凹槽之间的部分的上部,且孔槽的槽壁由隔离层的填充于两个凹槽内的部分界定。位线接触层设于孔槽内。位线导电层设于位线接触层上。
搜索关键词: 半导体器件 电子 装置
【主权项】:
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