[实用新型]半导体封装结构及封装体有效

专利信息
申请号: 201921740681.X 申请日: 2019-10-16
公开(公告)号: CN210607189U 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 刘杰;应战 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52;H01L21/60;H01L21/48;H01L23/538
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;高翠花
地址: 230001 安徽省合肥市蜀山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型提供一种半导体封装结构及封装体,半导体封装结构包括衬底晶圆,所述衬底晶圆具有相对设置的第一表面及第二表面,在所述第一表面具有多个凹槽,在所述凹槽底部具有多个导电柱,所述导电柱贯穿所述凹槽底部至所述第二表面;多个半导体裸片堆叠体,放置在所述凹槽内,且所述半导体裸片堆叠体的上表面低于或者平齐于所述凹槽的上边缘,所述半导体裸片堆叠体的底部与所述导电柱电连接;绝缘介质层,充满所述凹槽的侧壁与所述半导体裸片堆叠体之间的间隙,且所述绝缘介质层覆盖所述半导体裸片堆叠体的上表面,以密封所述半导体裸片堆叠体。本实用新型的优点在于,形成的半导体封装结构封装高度低、稳固性高、可靠性高及翘曲度低。
搜索关键词: 半导体 封装 结构
【主权项】:
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