[实用新型]一种深紫外LED器件有效
| 申请号： | 201921741330.0 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN210743971U | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 范东华;梁胜华;李炳乾;郝锐;杨明德;黄吉儿;张云波 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/52;H01L33/58;H01L33/62 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 赵琴娜 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种深紫外LED器件，深紫外LED器件包括：具有正负电极的基板，基板上设置有围坝；深紫外LED芯片，深紫外LED芯片固定于基板上并与基板上的正负电极连接；透镜，透镜周缘设置有与围坝适配的边框；透镜通过所述边框扣合于基板的围坝内，并构成容纳深紫外LED芯片的内腔。采用搅拌摩擦焊成型的焊缝把带边框的透镜和设有围坝的基板连接起来，实现了气密性封装，并且没有使用到有机硅胶等有机材料，实现了全无机封装。焊接过程只是局部高温，并不会因为温度过高而影响固晶质量和损害芯片，并且解决了深紫外LED照射下有机材料光解变性的问题，使得制造的深紫外LED适合在各种环境下使用，提高LED的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 器件 | ||
【主权项】：
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