[实用新型]一种超导腔用低温磁场补偿系统有效
| 申请号： | 201921751126.7 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN211505846U | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 米正辉;沙鹏;贺斐思;翟纪元 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | G01R33/00 | 分类号： | G01R33/00;G01R1/18 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 司立彬 |
| 地址： | 100049 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种超导腔用低温磁场补偿系统，包括磁屏蔽筒体和测试吊架，所述测试吊架用于连接超导腔，将所述超导腔固定在所述磁屏蔽筒体内；其特征在于，还包括一励磁系统；所述励磁系统用于安装在所述超导腔上，对地磁场和超导腔工装设备的剩磁进行抵消或补偿。本系统能够降低超导腔区域的环境磁场，并可以实现超导腔磁场环境的灵活设置，进行超导腔的性能提升实验研究。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超导 低温 磁场 补偿 系统 | ||
【主权项】：
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