[实用新型]一种具有发射极钝化接触的P型高效电池结构

摘要

本实用新型公开了一种具有发射极钝化接触的P型高效电池结构，包括P型硅，所述P型硅上方依次沉积有二氧化硅层和正膜氮化硅层，所述背面氮化硅层远离氧化铝层一侧设置有背电极，所述背电极依次穿过背面氮化硅层和氧化铝层、并与P型硅欧姆接触，位于所述二氧化硅层上方的正面氮化硅层中设置有掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层上方对应设置有与其欧姆接触的正电极。本实用新型的钝化接触结构仅在栅线位置下方，在栅线外不影响表面的PN结和光吸收，在栅线下方实现具有选择性钝化接触的结构，避免了栅线与硅基体的直接接触，可以大大降低硅基体的表面复合，提高了电池的Voc，进而增加了电池的转化效率。