[实用新型]一种沟槽型功率开关器件有效
| 申请号： | 201921779020.8 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN211045443U | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 张枫;孙军;张振中 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 王震宇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种沟槽型功率开关器件，包括衬底、在所述衬底上通过外延生长形成N型外延层、在所述衬底上刻蚀形成的沟槽、在所述沟槽内部形成的栅极、在所述衬底上通过注入P型掺杂形成的体区、在衬底上进行N型掺杂注入形成的源区、与所述源区相连的源极以及形成在所述衬底上的漏极，还包括通过注入P型掺杂形成的P型埋层和外围P型区，所述P型埋层形成在所述沟槽的底部，所述外围P型区形成在所述沟槽的外围，所述P型埋层与所述外围P型区相连，并通过所述外围P型区接地和所述源区。该开关器件能够达到与分栅沟槽型器件同样的分栅性能，并且，其开关损耗低，耐压高，内阻低，制作工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 功率 开关 器件 | ||
【主权项】：
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