[实用新型]一种高结温LED芯片有效
| 申请号： | 201921780640.3 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN210576002U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭;余金隆 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高结温LED芯片，所述芯片包括衬底、设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层和第一电极、设于有源层上的第二半导体层、以及设于第二半导体层上的第二电极，第一电极和第二电极均依次包括反射层、阻绝层和打线接触层，所述反射层由第一金属制成，所述阻绝层由第二金属制成，所述打线接触层由第三金属制成，其中，所述第一金属的金属活性小于Cr的金属活性，且第一金属的反射率大于80％，所述阻绝层用于阻挡反射层的金属迁移。本实用新型通过对电极的结构进行重新设计，控制电极金属活性，减少电极金属在高温时的迁移，有效将芯片的结温Tj(忍受度)从140度，提升到200～250度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高结温 led 芯片 | ||
【主权项】：
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