[实用新型]功率半导体用冷却装置有效
| 申请号： | 201921784219.X | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN210722999U | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 朴荣燮 | 申请（专利权）人： | 现代摩比斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/473 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 延美花;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及功率半导体用冷却装置，是以功率半导体为中心在上下部安装有冷却器且所述冷却器之间安装有多个层叠具的功率半导体用冷却装置，所述层叠具由内部形成有空间且中央形成有冷却水通道的上部层叠部件及下部层叠部件对称地接合形成。本实用新型的功率半导体用冷却装置通过在位于冷却器与冷却器之间的层叠具适用另外的构件简化气密结构，能够根据功率半导体的厚度调节冷却器的组装高度，因此不仅能够提高冷却器的组装性及气密性能，还具有能够节省其相关费用的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 冷却 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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