[实用新型]一种半导体雷浪涌抑制器有效

专利信息
申请号: 201921796135.8 申请日: 2019-10-24
公开(公告)号: CN210516486U 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 江俊 申请(专利权)人: 江苏顺烨电子有限公司
主分类号: H01G2/08 分类号: H01G2/08;H01G2/10;H02H9/02;H02H9/04
代理公司: 南通毅帆知识产权代理事务所(普通合伙) 32386 代理人: 刘纪红
地址: 213000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种半导体雷浪涌抑制器,包括壳体和电容,电容位于壳体的底部,壳体的内部分别设置有雷浪涌抑制结构和接线端子,雷浪涌抑制结构分别与电容和接线端子电性连接,电容的外表面设置有吸热部,吸热部的外表面设置有防爆部,吸热部的内部还设置有导热部,导热部将吸热部和电容外表面的热量传导至防爆部处,防爆部的上表面与壳体的下表面固定连接。该半导体雷浪涌抑制器,通过设置电容的外表面设置有吸热部,达到了对电容工作时产生的热量进行吸收的效果,同时降低电容因热量过多而发生胀裂的不利因素,从而具有防爆的特点。
搜索关键词: 一种 半导体 浪涌 抑制器
【主权项】:
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