[实用新型]写操作电路和半导体存储器有效
| 申请号： | 201921804508.1 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN210575117U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 张良 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 包莉莉;武晨燕 |
| 地址： | 200336 上海市长宁区虹桥路143*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例至少提供一种写操作电路和半导体存储器。该写操作电路包括：串并转换电路，用于对DBI端口的第一DBI数据进行串并转换，以生成供DBI信号线传输的第二DBI数据，以及根据第二DBI数据和DQ端口的输入数据，生成数据缓冲模块的输入数据；数据缓冲模块，用于根据数据缓冲模块的输入数据，确定是否翻转全局总线；DBI解码模块，用于根据第二DBI数据，对全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入存储块，解码包括确定是否翻转全局总线数据；预充电模块，连接于预充电信号线，用于将全局总线的初始态设置为高。本申请实施例的技术方案可以实现在Precharge上拉架构下，减少全局总线的翻转次数，从而大幅压缩电流，降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 电路 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
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