[实用新型]全局曝光图像传感器有效
| 申请号： | 201921820113.0 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN210958544U | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 任冠京;徐辰;莫要武;侯金剑 | 申请（专利权）人： | 思特威（上海）电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/378;H04N5/351 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种全局曝光图像传感器，所述图像传感器的采样保持单元包括并行连接设置的复位信号采样存储单元和图像信号采样存储单元，分别由一个或多个控制晶体管及电容构成。复位信号采样存储单元用于存储和控制读取像素电路的复位信号，图像信号采样存储单元用于存储和控制读取像素电路的图像信号。图像传感器的读出电路和控制电路对像素阵列输出的复位信号和图像信号读取控制和量化处理，根据不同的采样保持单元设计结构及读取方式，实现复位信号和图像信号的相关双采样，并通过计算获得输出图像的有效值。本实用新型所提供的内容与现有技术中全局曝光图像传感器的实现方案相比，能有效简化像素电路的时序操作，实现更小的CDS计算误差。 | ||
| 搜索关键词： | 全局 曝光 图像传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于思特威（上海）电子科技有限公司，未经思特威（上海）电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921820113.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：箱涵进水调节结构
- 下一篇：一种电动汽车车载终端防护结构
