[实用新型]一种大芯片的垂直堆叠结构有效

专利信息
申请号: 201921840863.4 申请日: 2019-10-30
公开(公告)号: CN210575949U 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 汪婷;阳芳芳 申请(专利权)人: 太极半导体(苏州)有限公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 代理人: 于浩江
地址: 215000 江苏省苏州市工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种大芯片的垂直堆叠结构,包含基板和至少一层堆叠单元;所述堆叠单元包含由下到上依次堆叠的下层芯片、硅垫片和上层芯片,硅垫片通过薄膜黏合剂粘贴在下层芯片上,上层芯片通过埋线膜粘贴在硅垫片上,下层芯片通过薄膜黏合剂粘贴在基板或下侧的堆叠单元的上层芯片上;所述的下层芯片和上层芯片均通过键合金线与基板电连接;本方案采用spacer和WEF相结合的设计方案,可以有效减小产品翘曲,并降低塑封表面出现模流印的风险;键合线的弧高可设计,并且容易检测,也避免键合线不合理地弯曲,从而极大降低制程的难度,有利于产品的大规模生产。
搜索关键词: 一种 芯片 垂直 堆叠 结构
【主权项】:
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