[实用新型]一种碳化硅单晶的制备装置有效
| 申请号： | 201921843260.X | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN211284619U | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 方帅;高超;高宇晗;王路平;王宗玉;张九阳;潘亚妮;宁秀秀;李霞;舒天宇;许晓林;薛传艺 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王宽 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种碳化硅单晶的制备装置及其应用，属于单晶的制备领域。该碳化硅单晶的制备装置，其包括加热单元、保温结构和坩埚，所述坩埚包括上部坩埚和下部坩埚，所述上部坩埚的坩埚盖内侧面设置籽晶；所述加热单元包括电阻加热体组和感应加热线圈；和所述电阻加热体组直接加热所述上部坩埚，所述感应加热线圈感应加热所述下部坩埚。该制备装置加热单元和保温结构的设置方式，方便控制坩埚不同高度即不同的长晶区域的温度，从而严格调控坩埚内热场的轴向温度梯度和径向温度梯度，从而提高长晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 制备 装置 | ||
【主权项】：
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