[实用新型]一种MWT太阳电池背电场结构有效
申请号: | 201921844807.8 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN211238266U | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 黎剑骑;孙涌涛;许成德;王富强;楼诚侃 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种MWT太阳电池背电场结构,包括硅片,所述硅片上表面设有PN结,硅片表面覆盖二氧化硅膜,硅片表面依次电镀三氧化二铝膜和氮化硅膜,硅片上设有贯穿孔电极,硅片正面设有正电极银栅线,背面设有背场,所述背场包括全铝背场和铝栅线背场。该结构开创了全铝背场与铝栅线相结合设计的方式,在不影响转换效率的同时,降低了Al金属浆料的消耗量,减少了贯穿孔电极区域隔离槽外的Al背场的面积,很大程度上避免Al金属粉末残留沾污贯穿孔电极,导致电池反向电流大、并联电阻低和漏电比例高的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 mwt 太阳电池 电场 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的