[实用新型]一种水平式MOCVD系统有效
申请号: | 201921847517.9 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN211036099U | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 李世杰;米菁;郝雷;于庆河;杜淼;李帅 | 申请(专利权)人: | 有研工程技术研究院有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/18;C23C16/458 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 黄家俊 |
地址: | 101407 北京市怀*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了金属有机物化学气相沉积薄膜技术领域的一种水平式MOCVD系统。包括依次布设的载气装置、反应源装置、反应室和真空系统;所述载气装置包括气瓶和流量计;反应源装置由并联布置的气化腔和截止阀组成,气化腔中放置盛放有机反应源的容器;反应室由密封端盖、管式炉和石英管组成,石英管内布设过滤网、整流工装和石墨样品台,管式炉包裹在石英管外壁,石英管两端用密封端盖密封,密封端盖中心设有进出气口,两侧分别连接反应源装置和真空系统;真空系统包括截止阀、真空计、尾气处理装置和真空泵。本实用新型结构简单,可实现管状样品内壁薄膜的批量化均匀制备,加料方便,通过对气化腔的简单切换能实现多体系复合薄膜的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 水平 mocvd 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研工程技术研究院有限公司,未经有研工程技术研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201921847517.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:内置式保护器自动封焊机卸料机构
- 下一篇:一种汽车密封条切割刀
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的