[实用新型]一种沟槽栅型功率芯片有效
| 申请号： | 201921857112.3 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN211125659U | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 赵哿;原诚寅;文宇;贾晓峰;朱明哲;刘保光;岳凤来;郑广州 | 申请（专利权）人： | 北京新能源汽车技术创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京一品慧诚知识产权代理有限公司 11762 | 代理人： | 黄岳巍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种沟槽栅型功率芯片，其特征在于，沟槽栅型功率芯片包括一个或多个元胞，所述元胞包括：半导体衬底，所述半导体衬底中包括沟槽、分别位于沟槽的两侧的发射极区和非导通电流侧衬底区域；热氧化层，其形成于沟槽的内壁以及非导通电流侧衬底区域的表面；多晶硅，其形成于沟槽的内壁上的热氧化层上和沟槽外的热氧化层上，沟槽内的多晶硅构成沟槽栅；隔离氧化层，其形成在沟槽外的多晶硅上方并向下延伸形成延伸部以使所述沟槽外的多晶硅中断；金属层，其覆盖所述隔离氧化层并连接至所述发射极区。该沟槽栅型功率芯片可以有效降低沟槽栅型功率芯片元胞区域的传输电容，从而降低功率芯片的动态损耗，提升开关频度，从而提升整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 功率 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京新能源汽车技术创新中心有限公司，未经北京新能源汽车技术创新中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921857112.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铝框覆塑建筑模板
- 下一篇：一种新型的油泵支架
- 同类专利
- 专利分类
