[实用新型]生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器有效
申请号: | 201921861266.X | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN210805800U | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 李国强;郑昱林;王文樑;唐鑫;陈胜;杨昱辉 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;冯振宁 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器。所述柔性紫外探测器自下至上依次包括柔性衬底、所述柔性衬底上的一对叉指电极、所述叉指电极上方的石墨烯层以及生长在石墨烯层上面的GaN纳米柱阵列。本实用新型的柔性紫外探测器一方面利用了石墨烯/GaN纳米柱阵列材料透明、导电和柔性的特点,提高了探测器对光的收集、光电响应灵敏度;另一方面利用了一维纳米柱材料巨大的比表面积和量子限域性,提高了光生载流子的密度和传输时间。本实用新型实现了紫外探测器的透明化、柔性化,可用于智能穿戴、弯曲显示、柔性传感成像等领域,经济效益可观。 | ||
搜索关键词: | 生长 石墨 烯基板上 gan 纳米 阵列 柔性 紫外 探测器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201921861266.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:新型计算机光纤配线保护装置
- 下一篇:一种矿山用减速机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的