[实用新型]激光退火系统有效
| 申请号： | 201921880295.0 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN210722984U | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘效岩;张程鹏;王建;程闻兴 | 申请（专利权）人： | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/268;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人： | 吕艳英 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种激光退火系统。所述激光退火系统包括：固定的平台(1)、嵌入在所述平台(1)内的可密封的工艺腔室(2)以及相对于所述平台(1)可移动的光学系统；所述工艺腔室的腔室空间里只设置有吸附卡盘组件。根据本实用新型的激光退火系统大幅减小了工艺腔室的体积，易于实现工艺腔室的无氧环境控制，并且在工艺过程中避免了因系统运动产生颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
