[实用新型]一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器有效
申请号: | 201921886041.X | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN210513514U | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 武安心;刘现中 | 申请(专利权)人: | 武汉新辰科技有限公司 |
主分类号: | G01L15/00 | 分类号: | G01L15/00;G01L19/06 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 傅海鹏 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器,包括差速传感器本体、硅差压芯片安装仓和硅差压芯片保护压盖,所述差速传感器本体的顶部安装有硅差压芯片安装仓,所述硅差压芯片安装仓内部的两端皆设置有滑槽,且滑槽通过滑块安装有缓冲板,所述缓冲板的顶部安装有PCB板,且PCB板顶部的中间位置处安装有硅差压芯片。本实用新型安装有第一弧形保护胶圈、第二弧形保护胶圈和橡胶连接柱,第二弧形保护胶圈盖合于高压入口下方,可防止外界水汽进入硅差压芯片安装仓内,装置使用较长时间,第二弧形保护胶圈产生形变后,第一弧形保护胶圈也可有效遮挡住水汽,避免水汽与硅差压芯片接触,对硅差压芯片起到双重保护效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 硅差压 芯片 保护 结构 传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新辰科技有限公司,未经武汉新辰科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201921886041.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。