[实用新型]一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件有效

专利信息
申请号: 201921897573.3 申请日: 2019-11-05
公开(公告)号: CN211182210U 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 曾丹;史波;刘勇强 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L21/336;H01L21/331
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 刘红彬
地址: 519070 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请涉及半导体器件技术领域,公开了一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件,其中,功率半导体器件的终端结构包括:衬底和位于衬底上的外延层;位于外延层内的耐压环、位于外延层内且位于耐压环外围的截止环、依次设置于耐压环和截止环上的介质层、金属层和钝化层,耐压环、截止环、介质层、金属层和钝化层形成耐压终端结构;其中,截止环的外侧设有划片槽,截止环与划片槽之间的部位设有凹陷,钝化层伸入凹陷内以包覆截止环和金属层。本申请公开的功率半导体结构的终端结构,保证了器件的可靠性,能够进一步降低器件的漏电水平,有效降低器件损耗。
搜索关键词: 一种 功率 半导体器件 终端 结构
【主权项】:
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