[实用新型]一种IGBT芯片生产用去膜装置的降噪机构有效
| 申请号： | 201921929809.7 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN211017015U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 薛芳峰;吴方军;乔德定;严建华;喻建华;祝文星;周仕民 | 申请（专利权）人： | 德兴市意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 南昌卓尔精诚专利代理事务所(普通合伙) 36133 | 代理人： | 陈志辉 |
| 地址： | 334000 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种IGBT芯片生产用去膜装置的降噪机构，包括机箱，所述机箱的顶部固定连接有加工箱，所述加工箱内壁的底部固定连接有去膜吸盘，所述去膜吸盘的表面设置有防护套，所述防护套内壁的底部横向固定连接有固定环，所述防护套的两侧均设置有拉盘，所述拉盘的内侧固定连接有拉杆，所述拉杆的内侧贯穿防护套并延伸至固定环的内部固定连接有移动板，所述移动板的内侧固定连接有卡杆。本实用新型通过设置机箱、加工箱、去膜吸盘、防护套、固定环、拉盘、拉杆、卡杆、去膜板、盖板和移动板的配合，使防护套与盖板接触，对去膜吸盘产生的噪音进行隔离，解决了现有的IGBT芯片生产用去膜装置不能进行降噪的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 生产 用去膜 装置 机构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
