[实用新型]级联雪崩倍增光电二极管

摘要

本专利公开了一种级联雪崩倍增光电二极管，在衬底上有衬底氧化层，在衬底氧化层上从左到右依次有p型电极层I、p型光吸收层、电场调控层I、雪崩倍增层I、n型过渡层、低杂质浓度的电子行进层、电场调控层II、雪崩倍增层II、n型电极层，p型电极层II内嵌于低杂质浓度的电子行进层区域内，衬底氧化层上依次排列的各层被电场隔离环层环绕包围，电场隔离环层外侧区域有本征层，p型电极层I上有p电极I，p型电极层II上有p电极II，n型电极层上有n电极的构造。本专利的优点在于：本专利构造避免曲率效应，消除边缘击穿，提高稳定性，同时实现多级级联雪崩倍增单片集成，获得很高的稳定增益，且有效抑制空穴雪崩引起的噪声。