[实用新型]一种低EMI的VDMOS场效应管有效
| 申请号： | 201921949773.9 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN210866186U | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘芬;王源政;马文力 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 黄启兵 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了半导体功率开关技术领域内的一种低EMI的VDMOS场效应管。该种低EMI的VDMOS场效应管，包括N+型重掺杂衬底，N+型重掺杂衬底上方生长有N型外延层，N型外延层上方设有N‑型外延层，N‑型外延层上部设有P型重掺杂阱区，P型重掺杂阱区上部设有N型重掺杂源区，N‑型外延层上方设有栅氧化层，栅氧化层上方设有多晶硅栅，多晶硅栅上方以及周面方淀积有钝化层，钝化层包覆多晶硅栅和栅氧化层上表面，钝化层以及N型重掺杂源区上方设有正面金属层，正面金属层包覆钝化层和N型重掺杂源区上表面。该种VDMOS场效应管既有开关速度快又有EMI低的特点，大幅提升了VDMOS管的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 emi vdmos 场效应 | ||
【主权项】：
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