[实用新型]一种基于三NMOS管并联的大功率浪涌电压抑制模块有效
| 申请号： | 201921967609.0 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN211063335U | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 周成龙;张梓超;陈晓薇;薛峰;郭艳辉;刘强;赵少琼;赵炜铭;李子森;苏醒;党丽 | 申请（专利权）人： | 中国兵器工业新技术推广研究所;北京中北创新科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 王雪芬 |
| 地址： | 100089 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于三NMOS管并联的大功率浪涌电压抑制模块，属于机载电子设备技术领域。本实用新型基于多个NMOS管并联，设计了一种电路原理简单、可靠性高、结构紧凑、导通电流30A的大功率浪涌抑制模块，其中通过在每个NOMS场效应管的栅极端串接一个5.1Ω电阻(电阻R1、R2、R3)，消除了三个NOMS场效应管的器件参数差异的多场效应管并联防振荡电路设计方案，整个电路原理简单，易于实现，产品可靠性高，浪涌抑制模块的通流量大，达到30A通流量；浪涌抑制模块导通内阻低，发热量小，电压降小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 nmos 并联 大功率 浪涌 电压 抑制 模块 | ||
【主权项】：
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