[实用新型]一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器有效
申请号: | 201921985764.5 | 申请日: | 2019-11-18 |
公开(公告)号: | CN211208468U | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 王建禄;陈艳;王旭东;胡伟达;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/0224;H01L31/0336;H01L31/18;G01J4/00 |
代理公司: | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本专利公开了一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器。器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的范德华异质结、金属源漏电极、铁电薄膜和半透明金属栅电极。首先在衬底上制备一种二维半导体,在此基础上转移另外一种具有各向异性的二维半导体,这两种半导体通过范德华力相结合,再运用电子束光刻技术与剥离技术制备金属电极,接着旋涂铁电聚合物薄膜,制备半透明金属电极,最终形成铁电局域场增强的偏振探测器。区别于异质结光电探测器,该结构可实现高二向色性比、低功耗、快速响应的偏振探测器。 | ||
搜索关键词: | 一种 增强 范德华异质结 偏振 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的