[实用新型]影像传感芯片的封装结构有效
申请号: | 201921993340.3 | 申请日: | 2019-11-18 |
公开(公告)号: | CN210805774U | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 王凯厚;杨剑宏;朱程亮;吴明轩 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种影像传感芯片的封装结构。该影像传感芯片的封装结构包括:基底,所述基底包括透光区以及围绕所述透光区的非透光区,所述非透光区设置有布线线路;所述基底包括滤光层,所述滤光层位于所述基底上的所述透光区和所述非透光区;倒装设置于所述基底上远离所述滤光层的一侧的影像传感器芯片,所述影像传感器芯片包括感应区,所述感应区朝向所述基底的一侧设置,所述感应区与所述透光区对应。本实用新型实施例不仅可以将滤光层的厚度设置的较薄,有利于封装结构的轻薄化和有利于电子设备的小型化。 | ||
搜索关键词: | 影像 传感 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的