[实用新型]一种沟槽式MOS型肖特基二极管有效
| 申请号： | 201922047788.2 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN210743954U | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 周炳;赵承杰;许新佳 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种沟槽式MOS型肖特基二极管，包括线路板本体，以及设置在线路板本体上的二极管本体和稳定杆，二极管本体的外壁套设有第一半环套管和第二半环套管，第一半环套管和第二半环套管朝向稳定杆的一端设置有导杆，稳定杆上设置导孔，导孔与导杆滑动套接，导杆上设置有挡块，第一半环套管上设置有插块，第二半环套管上设置有插槽，插块和插槽插接，第一半环套管和第二半环套管的插块插接位置设置有插柱。实现了对二极管本体的外壁面进行稳定套接，避免焊接在线路板本体上的二极管本体产生晃动，提高了焊接在线路板本体上的二极管本体的稳定性，避免了半环套管对二极管本体产生直接挤压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 型肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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