[实用新型]循环蚀刻装置有效
申请号: | 201922060106.1 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN211555832U | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 周建 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 石慧 |
地址: | 312000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种循环蚀刻装置,包括蚀刻槽、循环管路和注液管路,所述蚀刻槽用于蚀刻晶圆;所述循环管路的两端均与所述蚀刻槽连通,循环管路内的液体单向导通,用于循环过滤蚀刻液;所述注液管路与所述蚀刻槽连通。通过设置循环管路的机械结构,使循环管路内的液体只能沿着设定的方向单向流动,防止液体逆流或泄露,从而保证湿法蚀刻的效果和质量。 | ||
搜索关键词: | 循环 蚀刻 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造