[实用新型]氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构有效
| 申请号： | 201922112540.X | 申请日： | 2019-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN210689878U | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 赵成;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01B7/16;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构。涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构。提供了一种方便加工，提高检测可靠性的氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构。包括芯片、引线框架以及覆盖在芯片、引线框架上的封装层，所述芯片包括衬底、制作在衬底上的氮化镓MOSFET结构层、制作在衬底底部的压阻、覆盖在衬底底面上的绝缘层以及制作在绝缘层上的电极层，所述衬底的材料为单晶硅。所述电极层的材料为金，所述引线框架的材料为铜或者铜合金。本实用新型的氮化镓MOSFET封装应力应变感测结构的制备工艺与常规氮化镓MOSFET芯片的制备工艺和封装工艺兼容，制备过程简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 mosfet 封装 应力 应变 分布 结构 | ||
【主权项】：
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