[实用新型]一种命令读写装置、存储器有效
| 申请号： | 201922119686.7 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN211376201U | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 何凯;王旭亮;孙长江;李开亮 | 申请（专利权）人： | 深圳市国微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22;G11C7/10;G06F13/16 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 江婷;李发兵 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供的命令读写装置，包括：总线接口模块，缓存控制模块，缓存模块，读写模块；缓存控制模块包括：第一缓存控制模块、第二缓存控制模块；缓存模块包括：至少两个读缓存区，至少两个写缓存区；总线接口模块用于接收总线读/写命令；第一缓存控制模块用于将接收到的属于同一突发脉冲DDR Burst访问的总线写命令写入同一写缓存区；第二缓存控制模块用于将与总线读命令属于同一DDR Burst访问的读缓存区的数据返回；读写模块用于读取读缓存区或写缓存区执行DDR Burst读或写操作。通过将多个小数据读写操作命令合并到一起，减少了需要发起DDR Burst读写操作的次数，提高了数据读写效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 命令 读写 装置 存储器 | ||
【主权项】：
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