[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201922121787.8 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN210575927U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48;H01L21/603 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体结构；包括：支撑层，包括焊盘区域；支撑层的焊盘区域内形成有若干个凹槽，凹槽底部的宽度大于凹槽开口的宽度；焊垫，位于支撑层上，且位于焊盘区域内，焊垫部分嵌入凹槽内。上述半导体结构中焊垫嵌入凹槽的部分与凹槽下部的侧壁之间可以有空气腔，在焊线键合工艺时即使焊垫平坦且大部分焊垫在键合压力的作用下会被排挤开来，被排挤开来的焊垫会进入空气腔内，可以避免保护层向上掀开或裂开，防止焊垫外溢，从而确保产品的品质；同时，因为焊垫会在焊线键合工艺时进入空气腔内，会增加焊垫与支撑层的接触面积，从而会增强整体结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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