[实用新型]一种MOSFET有效
| 申请号： | 201922124703.6 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN211017080U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 俞义长;张海泉;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 高姗 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOSFET,包括半导体基底、设置在所述半导体基底上的外延层和多个元胞，所述元胞为对称结构，所述元胞包括两个沟槽栅结构和第一重掺杂层，两个所述沟槽栅结构设置在所述外延层表面内，所述第一重掺杂层设置在两个所述沟槽栅结构之间，所述第一重掺杂层延伸至两个沟槽的底部并覆盖两个所述沟槽底部超出一半的位置。本实用新型可以降低制程工艺难度，提高生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet | ||
【主权项】：
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