[实用新型]存储器及其衬垫结构有效
申请号: | 201922132411.7 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN210640236U | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 刘志拯 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供一种存储器及存储器的衬垫结构。该存储器的衬垫结构包括绝缘支撑层、导电层以及金属层。该绝缘支撑层包括第一区域以及围绕第一区域的环形沟槽。该第一区域内包括多个第一沟槽和多个第二沟槽。多个第一沟槽均与环形沟槽相通。任一第二沟槽与环形沟槽以及任一第一沟槽均不相通。该导电层填充于环形沟槽和各第一沟槽内。该金属层填充于各第二沟槽内。本公开能够提高存储器的寿命。 | ||
搜索关键词: | 存储器 及其 衬垫 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201922132411.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。