[实用新型]陶瓷板真空溅射镀膜装置有效
| 申请号： | 201922137842.2 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN211112195U | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王维昀;王新强;李永德;王后锦;袁冶;康俊杰 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/50 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 童海霓 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种陶瓷板真空溅射镀膜装置，其包括真空腔室、公转工件架、内侧圆柱溅射靶、内侧平面溅射靶、内侧离子源、外侧圆柱溅射靶、外侧平面溅射靶和外侧离子源；内、外侧离子源用于基片表面镀膜前清洁及辅助沉积，有效提升镀层与陶瓷基板的浸润性和结合力；设有内、外侧圆柱溅射靶和内、外侧平面溅射靶，可以实现复合薄膜的高效沉积，也可以同时对平面状或弧面状的陶瓷基板进行单、双面镀膜加工，大大提升工作效率，而且是利用公转工件架的公转带动陶瓷基板移动，陶瓷基板无需自转，确保陶瓷基板与靶材的间隔的的恒定，有利于镀膜的均匀性，也使得待镀陶瓷基板与靶材及离子源之间可实现小间距设置，有效增强膜层附着力，镀膜效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 真空 溅射 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
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