[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201922152641.X | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN211088261U | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 于新新 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/108;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域上形成有第一器件结构，所述第二区域上形成有第二器件结构，所述第一器件结构高度大于所述第二器件结构的高度，所述第一器件结构具有至少部分凹陷的侧壁，所述凹陷位于所述第一区域和第二区域的交界处；第一介质层，位于第二区域上，所述第一介质层填充满所述凹陷，所述第一介质层具有流动性。上述半导体结构的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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