[实用新型]一种CMOS集成电路抗单粒子效应加固电路有效
| 申请号： | 201922171793.4 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN210578492U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 武唯康;廖春连;常迎辉;李斌;刘长龙;田素雷 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K19/0948 |
| 代理公司： | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 050081 河北省石家庄市中山西路5*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种CMOS集成电路抗单粒子效应加固电路，属于集成电路、电路抗辐射加固技术领域。该电路包括上拉网络、下拉网络和源衬电压设置网络，其中，上拉网络、下拉网络和源衬电压设置网络共用输入端，上拉网络的电源端口和衬底的电压由源衬电压设置网路提供，下拉网路的接地端口和衬底的电压同样由源衬电压设置网络提供，上拉网络和下拉网络相连形成输出端口。本实用新型不仅能够完成普通CMOS集成电路的逻辑功能，还具备高性能的抗单粒子效应的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 集成电路 粒子 效应 加固 电路 | ||
【主权项】：
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