[实用新型]缓冲装置、芯片及电子设备有效
| 申请号： | 201922195113.2 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN210899134U | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 杨伟;樊磊 | 申请（专利权）人： | 北京集创北方科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种缓冲装置、芯片及电子设备，所述装置包括：电压调整模块，包括第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS，所述电压调整模块用于接收输入电压，并利用所述第一PMOS的阈值电压对所述输入电压进行调整，输出驱动电压；缓冲模块，电连接于所述电压调整模块，用于接收输入信号，并在所述驱动电压下对所述输入信号进行缓冲，输出缓冲后的信号。本实用新型实施例可以利用第一PMOS的阈值电压对输入电压进行调整，得到的驱动电压可以对缓冲模块的工艺角(corner)进行补偿，使得缓冲模块的翻转点电压范围变小，满足工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲 装置 芯片 电子设备 | ||
【主权项】：
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