[实用新型]一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构有效
| 申请号： | 201922200106.7 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN211017086U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 左万胜;钮应喜;程海英;钟敏;郗修臻;张晓洪;刘锦锦;刘洋;史田超 | 申请（专利权）人： | 启迪新材料（芜湖）有限公司;芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构，所述电流孔径垂直电子晶体管外延结构由下至上依次包括：GaN自支撑衬底或硅基衬底、n型掺杂GaN漂移层A、多周期GaN/AlGaN隧穿层、n型掺杂GaN漂移层B、导通孔径层、GaN沟道层；并且在所述导通孔径层的两侧还分别设有电流阻挡层；通过在漂移区内插入多周期GaN/AlGaN隧穿层，通过调控多周期的周期数、多周期内的GaN与AlGaN的厚度及Al组分，提高器件的耐压特性，通过隧穿效应显著缓解器件击穿电压与导通电阻之间的矛盾，改善器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 孔径 垂直 电子 晶体管 外延 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于启迪新材料（芜湖）有限公司;芜湖启迪半导体有限公司，未经启迪新材料（芜湖）有限公司;芜湖启迪半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201922200106.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多功能防水园林景观灯
- 下一篇：一种带呼吸器结构液压油缸
- 同类专利
- 专利分类
