[实用新型]一种用于生产碳纳米管薄膜的联排CVD反应装置有效
申请号: | 201922228249.9 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN211367716U | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 李建稳;何占宇;曾培源;王帝;沈健民 | 申请(专利权)人: | 南京源昌新材料有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/44 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 黄明哲 |
地址: | 211500 江苏省南京市六*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供一种用于生产碳纳米管薄膜的联排CVD反应装置,具体涉及碳纳米管薄膜生产装置技术领域,包括一支大反应管,所述大反应管的内腔中周向均匀设有若干反应室,每个所述反应室的形状大小相同。本实用新型,一方面通过增加CVD反应装置内参与生产碳纳米管薄膜的反应室的数量,来提高单位时间内碳纳米管的产出量,缩短碳纳米管薄膜的收集时间,进而有效的减少能源浪费。另一方面,通过增加碳纳米管管束的数量,有效的减小因单支碳纳米管管束的中断,对碳纳米管薄膜电阻均一性的影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 生产 纳米 薄膜 cvd 反应 装置 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的