[实用新型]降低晶圆离子污染的高均匀性晶圆加热器有效
申请号: | 201922229131.8 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN211455653U | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 游利;贾坤良 | 申请(专利权)人: | 靖江先锋半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 靖江市靖泰专利事务所(普通合伙) 32219 | 代理人: | 陆平 |
地址: | 214500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 降低晶圆离子污染的高均匀性晶圆加热器,包括金属加热器主体、金属固定环,所述金属加热器主体设置有盘体、安装轴、测温热电偶和若干个气体管路,金属加热器主体的盘体内嵌设有若干个方型铠装加热管和石墨匀热片,顶面设置有陶瓷匀热盘;所述盘体和陶瓷匀热盘外围设置有金属固定环;所述盘体上设置有表面匀气沟槽、外圈密封面、内圈密封面、方型加热管安装沟槽和石墨匀热片安装槽;所述方型铠装加热管外壳设置为方型,内部设置为圆形铠装加热管;所述的陶瓷匀热盘顶面均布有若干数量的支撑晶圆的小凸台。本实用新型结构新型,工艺稳定,大幅度延长了使用寿命,减少了工艺时污染,显著提高了生产效率,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 降低 离子 污染 均匀 性晶圆 加热器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造