[实用新型]一种基于自适应偏置的CMOS跨导单元电路有效

专利信息
申请号: 201922246422.8 申请日: 2019-12-16
公开(公告)号: CN211089594U 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 白春风;赵文翔;汤雁婷;乔东海 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H03F1/42 分类号: H03F1/42;H03F3/45
代理公司: 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 代理人: 陆金星
地址: 215000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种基于自适应偏置的CMOS跨导单元电路,在宽电压范围内为跨导单元主体电路提供较为恒定的偏置电流,利用栅极电压的自适应调整和预留的较大电压回旋空间,其中偏置电压Vbias1选择较低值,使得电流源I1a刚刚能够饱和,这样,随着输入电压的升高,PMOS管M4a和PMOS管M5a进入线性区之后还能再拓展一些输入电压范围,直到PMOS管M7a也进入线性区,本实用新型的优点在于,可以获取更宽的电压输入范围,对于纳米级CMOS工艺来说是非常重要的特性,同时为跨导主体电路提供的偏置电流非常稳定,即其偏置电流对输入电压的依赖性非常小,有利于提高线性度。
搜索关键词: 一种 基于 自适应 偏置 cmos 单元 电路
【主权项】:
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