[实用新型]一种高精度RF MEMS数字可变电容有效
| 申请号： | 201922266264.2 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN211208253U | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王竞轩;刘泽文;肖倩;陈涛 | 申请（专利权）人： | 苏州希美微纳系统有限公司 |
| 主分类号： | H01G7/00 | 分类号： | H01G7/00;H01G5/38 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 刘洪勋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高精度RF MEMS数字可变电容，包括有衬底，衬底上分布有若干组基于翘板式结构的RF MEMS数字可变电容单元，各个RF MEMS数字可变电容单元分组后，围绕RF Pad分布，每组RF MEMS数字可变电容单元的RF电极与RF Pad接连，每组RF MEMS数字可变电容单元的最大容值均不相同，每组RF MEMS数字可变电容单元有两种电容状态，通过5位二进制数字驱动信号进行控制，RF Pad两侧均分布有GND Pad。由此，可变电容单元数量少，且可变电容容值的步阶多，调节范围广，可调性强。在5组单元，每组二个电容状态的条件下，有32个步阶。在5组单元，每组三个电容状态的条件下，有243个步阶。由数字信号控制，可与IC兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 rf mems 数字 可变电容 | ||
【主权项】：
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