[实用新型]一种VCSEL芯片有效
| 申请号： | 201922295603.X | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN210866775U | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 田宇 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种VCSEL芯片，通过在第二对称波导层与P型限制层之间设置第一对称波导层，能有效减缓因第二对称波导层与P型限制层的Al组分不同而造成的势垒差异；其次，所述第一对称波导层的势垒呈函数渐变，使第一对称波导层的头、尾两端点的势垒分别与第二对称波导层、P型限制层的势垒无限接近，从而更大程度上降低第二对称波导层与P型限制层的势垒结，进而获得更好的串联阻值；再次，通过所述第一对称波导层的过渡，使所述第二对称波导层与P型限制层之间形成低电阻，从而在一定程度上降低了VCSEL芯片的热损耗，进一步达到了提高VCSEL芯片的微分增益的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vcsel 芯片 | ||
【主权项】：
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