[实用新型]一种碳化硅晶片的退火用装置和退火用堆叠结构有效
| 申请号： | 201922323715.1 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN210984704U | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 徐良;曹力力;蓝文安;刘建哲;余雅俊;夏建白;李京波;郭炜;叶继春 | 申请（专利权）人： | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 321000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种碳化硅晶片的退火用装置和退火用堆叠结构，碳化硅晶片的退火用装置包括C形装置底座和多个圆弧状凸起墩，C形装置底座设有C形上表面、C形下表面、内圆弧侧面和外圆弧侧面，多个圆弧状凸起墩等间距设置于C形上表面的外缘端，多个圆弧状凸起墩包括第一圆弧侧面和第二圆弧侧面，第一圆弧侧面和第二圆弧侧面与内圆弧侧面和外圆弧侧面同心设置；退火用堆叠结构包括上、下堆叠的上述退火用装置，每个退火用装置的C形装置底座的开口位置相对应。本实用新型的退火用装置和退火用堆叠结构，便于晶片取放，同时能减少晶片与装置的接触面积，避免晶片的接触污染，并通过堆叠实现多张碳化硅晶片的同时退火，提高晶片的退火效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 退火 装置 堆叠 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
