[实用新型]一种半导体发光元件有效
申请号: | 201922333133.1 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN211700319U | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 蔡均富 | 申请(专利权)人: | 天津三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本实用新型公开一种半导体发光元件,其包括半导体垒晶叠层,包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层;电介质层,位于所述第一导电型半导体层的远离活性层的一侧,所述电介质层具有多个贯通的开口;金属层,位于所述电介质层的远离第一导电型半导体层的一侧,所述金属层通过所述电介质层的多个开口与第一导电型半导体层进行电性连接;其特征在于,所述电介质层的多个贯通的开口为环形的。本实用新型的电介质层采用环形开口设计,可在保证电流导通和注入的基础上,兼顾镜面反射的效果,从而提升半导体发光元件的发光亮度,提升发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】:
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